2023DRAM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 7月DRAM平均固定交易價(jià)格環(huán)比下跌1.47%

• 黃文玉 2023年8月1日 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 1026 65
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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。

7月DRAM平均固定交易價(jià)格環(huán)比下跌1.47%

根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，7月DRAM平均固定交易價(jià)格環(huán)比下跌1.47%。 另外，7月PC用DRAM(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)固定成交均價(jià)為1.34美元，同比下降53.47%。TrendForce表示，由于供應(yīng)商和買(mǎi)家難以就價(jià)格達(dá)成一致，7月份簽署的PC DRAM合同數(shù)量減少。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō)，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單——每一個(gè)比特的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處理，相比之下在SRAM上一個(gè)比特通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問(wèn)速度較慢，耗電量較大的缺點(diǎn)。與大部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。

DRAM行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀分析

就全球存儲(chǔ)芯片定位而言，2021年DRAM占比全球儲(chǔ)存市場(chǎng)61%的市場(chǎng)份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲(chǔ)器，多用與cpu緩存和圖像系統(tǒng)的幀緩存區(qū)，起到臨時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的功能，如遇斷電則數(shù)據(jù)則會(huì)丟失信息，更大的緩存空間代表同時(shí)可處理和儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)更多，屬與電子設(shè)備必須的組成部分。

數(shù)據(jù)顯示，2021年三星、海力士、美光市占率依次為43%、28%、23%，合計(jì)占比達(dá)94%，南亞及其他企業(yè)占比總和企業(yè)僅為6%。國(guó)產(chǎn)替代而言，長(zhǎng)鑫是大陸首家DRAM IDM廠商，2016年在合肥成立，規(guī)劃三期，產(chǎn)能共36萬(wàn)片/月。

DRAM通常以一個(gè)電容和一個(gè)晶體管為一個(gè)單元排成二維矩陣?；镜牟僮鳈C(jī)制分為讀和寫(xiě)，讀的時(shí)候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后再把晶體管打開(kāi)讓BL和電容產(chǎn)生電荷共享的現(xiàn)象，若內(nèi)部存儲(chǔ)的值為1，則BL的電壓會(huì)被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內(nèi)部存儲(chǔ)的值為0，則會(huì)把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經(jīng)過(guò)放大器來(lái)判別出內(nèi)部的值為0和1。寫(xiě)的時(shí)候會(huì)把晶體管打開(kāi)，若要寫(xiě)1時(shí)則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲(chǔ)著操作電壓，若要寫(xiě)0時(shí)則把BL降低到0伏特使電容內(nèi)部沒(méi)有電荷。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。主存即電腦內(nèi)部最主要的存儲(chǔ)器，用來(lái)加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運(yùn)行與運(yùn)用。由于DRAM的性價(jià)比很高，且擴(kuò)展性也不錯(cuò)，是現(xiàn)今一般電腦主存的最主要部分。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示：

DRAM三巨頭具備先發(fā)優(yōu)勢(shì)，目前產(chǎn)品最新標(biāo)準(zhǔn)迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。傳統(tǒng)異步DRAM已被淘汰，讀/寫(xiě)時(shí)鐘與CPU同步的SDRAM作為DRAM的升級(jí)成為主流，主要包括DDR/GDDR/LPDDR等，其中DDR已迭代至第五代(DDR5)，制程方面，10nm~20nm系列制程至少包括六代：1Xnm(16-19nm)/1Ynm(14-16nm)/1Znm(12-14nm)/1α/1β/1γ，10nm以下待突破。整體來(lái)看，國(guó)產(chǎn)企業(yè)長(zhǎng)鑫仍存在一定差距。全球DRAM或Flash市場(chǎng)價(jià)格分為合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)，價(jià)格走勢(shì)是跟蹤景氣變化的關(guān)鍵指標(biāo)，合約價(jià)：ContractPrice，大客戶，價(jià)格按照協(xié)議合約走，定期議價(jià)，不受期間價(jià)格波動(dòng)影響，占比約90%。

受下游智能手機(jī)和服務(wù)器等消費(fèi)電子不斷擴(kuò)容、IoT為代表的消費(fèi)升級(jí)以及大數(shù)據(jù)云計(jì)算技術(shù)不斷突破的背景下，存儲(chǔ)器市場(chǎng)快速發(fā)展，同時(shí)因?yàn)楣鑳r(jià)原材料高漲帶動(dòng)價(jià)格上升，產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)為明顯的量?jī)r(jià)齊升趨勢(shì)，數(shù)據(jù)顯示，2021年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)949億美元，同比2020年增長(zhǎng)41.6%。

數(shù)據(jù)顯示，截止2021年年底，全球DRAM產(chǎn)能約為150萬(wàn)片/月，其中國(guó)產(chǎn)企業(yè)合肥長(zhǎng)鑫已達(dá)到6萬(wàn)片/月8 GB DDR4(19nm)，占比全球主要DRAM產(chǎn)能的4%。預(yù)計(jì)隨著2022年17nm DDR5投產(chǎn)，整體國(guó)產(chǎn)化水平將進(jìn)一步推進(jìn)。

DRAM市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)

2023年5月，根據(jù)TrendForce最新公布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM市場(chǎng)中，DDR5芯片現(xiàn)貨價(jià)格再次震蕩下行，DDR4、DDR3產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)下跌，整體市場(chǎng)還未出現(xiàn)價(jià)格反彈的跡象。展望未來(lái)，廠商和貿(mào)易商需要繼續(xù)關(guān)注市場(chǎng)需求的發(fā)展變化，以及價(jià)格的波動(dòng)情況，以適時(shí)調(diào)整自己的備貨策略。

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  2022-2027年中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告

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