2023報告：DRAM市場預計將在2023年第四季度實現供需平衡

• 黃文玉 2023年7月11日 來源：互聯網 319 13
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動態隨機存取存儲器(DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。

DRAM行業投資趨勢預測

據業內人士稱，DRAM市場預計將在2023年第四季度實現供需平衡。

DRAM芯片需求經歷了PC推動周期、PC&Notebook推動周期，目前正處于智能手機&服務器&AloT推動周期。2020年上半年受新冠疫情影響，服務器、智能手機、PC需求激增帶動DRAM價格迅速回升，新一輪上升的大趨勢基本確定。

動態隨機存取存儲器(DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器(SRAM)只要存入數據后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

DRAM行業市場發展現狀分析

與SRAM相比，DRAM的優勢在于結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數據會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器設備。

DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣。基本的操作機制分為讀(Read)和寫(Write)，讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后再把晶體管打開讓BL和電容產生電荷共享的現象，若內部存儲的值為1，則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內部存儲的值為0，則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經過放大器來判別出內部的值為0和1。寫的時候會把晶體管打開，若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓，若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內部沒有電荷。

云計算、大數據的興起，服務器的數據容量和處理速度在不斷提高，推動了DDR技術的升級迭代，目前市場上主流技術規范為DDR4和LPDDR4，DDR5技術即將進入商用領域。DRAM占存儲器市場規模的58%，為最大的細分市場。DRAM以其經濟、可靠、高效的特點，被廣泛運用于移動設備、服務器、PC等市場。

就全球存儲芯片定位而言，2021年DRAM占比全球儲存市場61%的市場份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲器，多用與cpu緩存和圖像系統的幀緩存區，起到臨時儲存數據的功能，如遇斷電則數據則會丟失信息，更大的緩存空間代表同時可處理和儲存的數據更多，屬與電子設備必須的組成部分。

根據中研普華產業研究院發布的《2022-2027年中國DRAM行業市場深度調研及投資策略預測報告》顯示：

全球DRAM或Flash市場價格分為合約價和現貨價，價格走勢是跟蹤景氣變化的關鍵指標，合約價：ContractPrice，大客戶，價格按照協議合約走，定期議價，不受期間價格波動影響，占比約90%。2020年DRAM下游移動式(手機、移動端)占39.6%;服務器占33.9%;PC占13.1%;消費電子占7.9%;圖形技術占5.5%。

隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外，見下文)，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。主存即電腦內部最主要的存儲器，用來加載各式各樣的程序與數據以供CPU直接運行與運用。由于DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦主存的最主要部分。

PC端、移動端、服務器端為DRAM主要需求來源,市場需求占比大。PC端進入存量替代市場，出貨穩定;移動端和服務器端DRAM需求旺盛;5G熱潮以及5G智能手機帶來的出貨增長拉動了DRAM需求;車用DRAM是將成為DRAM的新戰場。移動端DRAM自2012年超過PC端以來始終是DRAM最大市場，目前占DRAM總出貨量40%左右。2020年全球手機出貨量約12.92億臺，同比下降5.76%。

目前產品最新標準迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。傳統異步DRAM已被淘汰，讀/寫時鐘與CPU同步的SDRAM作為DRAM的升級成為主流，主要包括DDR/GDDR/LPDDR等，其中DDR已迭代至第五代(DDR5)，制程方面，10nm~20nm系列制程至少包括六代：1Xnm(16-19nm)/1Ynm(14-16nm)/1Znm(12-14nm)/1α/1β/1γ，10nm以下待突破。整體來看，國產企業長鑫仍存在一定差距。

TrendForce最新公布的數據顯示，DRAM市場中，DDR5芯片現貨價格再次震蕩下行，DDR4、DDR3產品現貨價格繼續下跌，整體市場還未出現價格反彈的跡象。受此影響，廠商和貿易商都處于備貨狀態，但近期部分買家開始尋求小批量訂單的報價，盡管這種需求并沒有對整體成交量帶來太大的提振。

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